BZW06-376BRL参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZW06-376BRL概述

DO-15 376V 600W

776V Clamp 5.7A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15

得捷:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15

立创商城:
Vrwm:376V 600W

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 T/R

安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 T/R

儒卓力:
**TRANSIL BI 0,6KW 440V DO15 **

Win Source:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15 / 776V Clamp 5.7A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 DO-204AC

BZW06-376BRL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 376 V

额定功率 600 W

钳位电压 776 V

最大反向电压（Vrrm） 376V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 418 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-15

外形尺寸

长度 6.75 mm

宽度 3.53 mm

直径 3.53 mm

封装 DO-15

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BZW06-376BRL

型号： BZW06-376BRL

描述：DO-15 376V 600W

替代型号BZW06-376BRL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZW06-376BRL ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
BZW06-376B 意法半导体	完全替代	BZW06-376BRL和BZW06-376B的区别
BZW06-376RL 意法半导体	完全替代	BZW06-376BRL和BZW06-376RL的区别
BZW06-376 Diotec Semiconductor	功能相似	BZW06-376BRL和BZW06-376的区别