STMICROELECTRONICS BZW06-376B TVS二极管, TVS, Transil BZW06系列, 双向, 376 V, 776 V, DO-15, 2 引脚
Transil™ TVS 轴向双向 600W,STMicroelectronics
### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
得捷:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15
欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW06-376B 双向, 600W, 776V, 2针 DO-15封装
立创商城:
Vrwm:376V 600W
e络盟:
TVS二极管, BZW06系列, 双向, 376 V, 776 V, DO-15, 2 引脚
艾睿:
Protect your critical electronic applications from sudden overvoltage conditions with this BZW06-376B TVS diode from STMicroelectronics. This device&s;s maximum clamping voltage is 776 V and minimum breakdown voltage is 418 V. Its peak pulse power dissipation is 600 W. Its test current is 1 mA. Its maximum leakage current is 1 μA. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 Ammo
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 Ammo
Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS BZW06-376B TVS Diode, Transil BZW06 Series, Bidirectional, 376 V, 776 V, DO-15, 2 Pins
Win Source:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15
额定电压DC 376 V
额定功率 600 W
击穿电压 418 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 1.7 W
钳位电压 776 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 418 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 418 V
击穿电压 418 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-15
长度 6.75 mm
宽度 3.53 mm
高度 3.53 mm
直径 3.53 mm
封装 DO-15
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, 通用, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BZW06-376B ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BZW06-376RL 意法半导体 | 完全替代 | BZW06-376B和BZW06-376RL的区别 |
BZW06-376BRL 意法半导体 | 完全替代 | BZW06-376B和BZW06-376BRL的区别 |