BZW06-376B

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BZW06-376B概述

STMICROELECTRONICS  BZW06-376B  TVS二极管, TVS, Transil BZW06系列, 双向, 376 V, 776 V, DO-15, 2 引脚

Transil™ TVS 轴向双向 600W,STMicroelectronics

### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics


得捷:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15


欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW06-376B 双向, 600W, 776V, 2针 DO-15封装


立创商城:
Vrwm:376V 600W


e络盟:
TVS二极管, BZW06系列, 双向, 376 V, 776 V, DO-15, 2 引脚


艾睿:
Protect your critical electronic applications from sudden overvoltage conditions with this BZW06-376B TVS diode from STMicroelectronics. This device&s;s maximum clamping voltage is 776 V and minimum breakdown voltage is 418 V. Its peak pulse power dissipation is 600 W. Its test current is 1 mA. Its maximum leakage current is 1 μA. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 Ammo


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 Ammo


Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 376V 600W 2-Pin DO-15 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BZW06-376B  TVS Diode, Transil BZW06 Series, Bidirectional, 376 V, 776 V, DO-15, 2 Pins


Win Source:
TVS DIODE 376VWM 776VC DO15


BZW06-376B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 376 V

额定功率 600 W

击穿电压 418 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 1.7 W

钳位电压 776 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 418 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 418 V

击穿电压 418 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-15

外形尺寸

长度 6.75 mm

宽度 3.53 mm

高度 3.53 mm

直径 3.53 mm

封装 DO-15

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, 通用, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BZW06-376B引脚图与封装图
BZW06-376B引脚图
BZW06-376B封装图
BZW06-376B封装焊盘图
在线购买BZW06-376B
型号: BZW06-376B
描述:STMICROELECTRONICS  BZW06-376B  TVS二极管, TVS, Transil BZW06系列, 双向, 376 V, 776 V, DO-15, 2 引脚
替代型号BZW06-376B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZW06-376B

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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BZW06-376RL

意法半导体

完全替代

BZW06-376B和BZW06-376RL的区别

BZW06-376BRL

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