ON SEMICONDUCTOR BDV65BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
The is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
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- High DC current gain
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- Collector-base voltage Vcbo = 100V
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- Emitter-base voltage Vcbo = 5V
额定电压DC 100 V
额定电流 10.0 A
额定功率 125 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V
额定功率Max 125 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BDV65BG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BDV65B 安森美 | 完全替代 | BDV65BG和BDV65B的区别 |
TIP142G 安森美 | 类似代替 | BDV65BG和TIP142G的区别 |
BDV64BG 安森美 | 类似代替 | BDV65BG和BDV64BG的区别 |