INFINEON BSC600N25NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3GATMA1, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
立创商城:
N沟道 250V 25A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 125 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON
长度 6.1 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, , Power Management, Industrial, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
