STMICROELECTRONICS BUL89 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 110 W, 12 A, 10 hFE
高电压,STMicroelectronics
欧时:
### 高电压晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
得捷:
TRANS NPN 400V 12A TO220
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 110 W, 12 A, 10 hFE
艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN BUL89 GP BJT from STMicroelectronics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 9 V. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 9 V.
安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
BUL89 系列 400 V 12 A 高压 快速开关 NPN功率晶体管
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 110000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS BUL89 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 110 W, 12 A, 10
儒卓力:
**NPN-TRANSISTOR 400V 12A TO220 **
Win Source:
TRANS NPN 400V 12A TO-220
额定电压DC 400 V
额定电流 12.0 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 110 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 110 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 110000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Power Management, 工业, 照明, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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