INFINEON BSB165N15NZ3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 150 V, 0.0131 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
立创商城:
N沟道 150V 45A 9A
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSB165N15NZ3GXUMA1, 45 A, Vds=150 V, 7引脚 WDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
艾睿:
BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 9A CanPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 9A 7-Pin WDSON
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
Newark:
# INFINEON BSB165N15NZ3GXUMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 150 V, 0.0131 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON / N-Channel 150 V 9A Ta, 45A Tc 2.8W Ta, 78W Tc Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
额定功率 78 W
通道数 1
针脚数 2
漏源极电阻 0.0131 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 78 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2100pF @75VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 WDSON-2-3
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 WDSON-2-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSB165N15NZ3G 英飞凌 | 功能相似 | BSB165N15NZ3GXUMA1和BSB165N15NZ3G的区别 |