N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω
通孔 N 通道 900 V 4.1A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
得捷:
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
贸泽:
MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FI Magazine
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220FI Magazine
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220F-3FS Tube
力源芯城:
N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω
通道数 1
漏源极电阻 2.7 Ω
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 850pF @30VVds
下降时间 52 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 37W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BFL4001-1E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BFL4001 安森美 | 类似代替 | BFL4001-1E和BFL4001的区别 |