BSC093N15NS5ATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 150 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3.8 V
表面贴装型 N 通道 87A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8-7
欧时:
Infineon MOSFET BSC093N15NS5ATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
富昌:
150v, 87A, 9.3 MOHM, PPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
BSC093N15NS5ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0079 Ω
极性 N-CH
耗散功率 139 W
阈值电压 3.8 V
输入电容 3230 pF
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 87A
上升时间 4.3 ns
输入电容Ciss 3230pF @75VVds
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Low voltage
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BSC093N15NS5ATMA1