BPW38概述
HERMETIC硅PHOTODARLINGTON HERMETIC SILICON PHOTODARLINGTON
Phototransistors 880nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
得捷:
PHOTO DARLINGTON, 940NM, 0.2A
贸泽:
光电晶体管 3mA IR PHOTO DARL
艾睿:
Photodarlington Chip Silicon 940nm 3-Pin TO-18 Bulk
Chip1Stop:
Photodarlington Chip Silicon 940nm 3-Pin TO-18 Bulk
BPW38中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 25.0 V
工作电压 25.0 V
击穿电压 25 V
波长 880 nm
视角 18°
峰值波长 940 nm
耗散功率 600 mW
上升时间 300 µs
击穿电压集电极-发射极 25 V
额定功率Max 300 mW
下降时间 250 µs
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 600 mW
电源电压 25 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
长度 5.31 mm
宽度 5.31 mm
高度 6.48 mm
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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