BUK652R0-30C,127

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BUK652R0-30C,127概述

TO-220AB N-CH 30V 120A

N-Channel 30V 120A Tc 306W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB


BUK652R0-30C,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 306 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 14964pF @25VVds

额定功率Max 306 W

耗散功率Max 306W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BUK652R0-30C,127
型号: BUK652R0-30C,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-220AB N-CH 30V 120A

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