BBS3002-DL-1E

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BBS3002-DL-1E概述

场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -100A, TO-263-3

P-Channel 60V 100A Ta 90W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK


立创商城:
BBS3002-DL-1E


艾睿:
Compared to traditional transistors, BBS3002-DL-1E power MOSFETs, developed by ON Semiconductor, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 90000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


富昌:
BBS3002 Series 60 V 100 A 5.8 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - D2PAK-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


罗切斯特:
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK


BBS3002-DL-1E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0044 Ω

耗散功率 90 W

上升时间 1000 ns

输入电容Ciss 13200pF @20VVds

下降时间 820 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

BBS3002-DL-1E引脚图与封装图
BBS3002-DL-1E引脚图
BBS3002-DL-1E封装焊盘图
在线购买BBS3002-DL-1E
型号: BBS3002-DL-1E
描述:场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -100A, TO-263-3
替代型号BBS3002-DL-1E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BBS3002-DL-1E

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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三洋

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