BUV21G

BUV21G图片1
BUV21G图片2
BUV21G图片3
BUV21G图片4
BUV21G图片5
BUV21G图片6
BUV21G图片7
BUV21G图片8
BUV21G图片9
BUV21G图片10
BUV21G图片11
BUV21G概述

ON SEMICONDUCTOR  BUV21G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W 通孔 TO-204(TO-3)


得捷:
TRANS NPN 200V 40A TO204


立创商城:
BUV21G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 40A 200V 250W NPN


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


安富利:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3


Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BUV21G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 20 hFE


BUV21G中文资料参数规格
技术参数

频率 8 MHz

额定电压DC 200 V

额定电流 40.0 A

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 40A

最小电流放大倍数hFE 20 @12A, 2V

额定功率Max 250 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 38.86 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BUV21G
型号: BUV21G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BUV21G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新
替代型号BUV21G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUV21G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BUV21

安森美

功能相似

BUV21G和BUV21的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台