ON SEMICONDUCTOR BUV21G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新
- 双极 BJT - 单 NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W 通孔 TO-204(TO-3)
得捷:
TRANS NPN 200V 40A TO204
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BUV21G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 40A 200V 250W NPN
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单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE
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Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
安富利:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
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Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-204 Tray
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BUV21G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 20 hFE
频率 8 MHz
额定电压DC 200 V
额定电流 40.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 40A
最小电流放大倍数hFE 20 @12A, 2V
额定功率Max 250 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 38.86 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BUV21G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUV21 安森美 | 功能相似 | BUV21G和BUV21的区别 |