BZW50-18

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BZW50-18概述

STMICROELECTRONICS  BZW50-18  TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 单向, 18 V, 32.2 V, 轴向引线, 2 引脚

Transil™ TVS 轴向单向 5000W,STMicroelectronics


欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW50-18 单向, 5000W, 41.5V, 2针 R 6封装


得捷:
TVS DIODE 18VWM 41.5VC R6


立创商城:
Vrwm:18V 5kW


e络盟:
TVS二极管, BZW50系列, 单向, 18 V, 32.2 V, 轴向引线, 2 引脚


艾睿:
Protect users and systems from overvoltage conditions by equipping your electronic equipment with STMicroelectronics&s; BZW50-18 TVS diode. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. Its test current is 1 mA. Its maximum leakage current is 5 μA. This device&s;s maximum clamping voltage is 41.5 V and minimum breakdown voltage is 20 V. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 18V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 18V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 18V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BZW50-18  TVS Diode, Transil BZW50 Series, Unidirectional, 18 V, 32.2 V, Axial Leaded, 2 Pins


BZW50-18中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 18.0 V

额定功率 5.00 kW

击穿电压 20.0 V

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 6.50 W

钳位电压 41.5 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 20 V

脉冲峰值功率 5000 W

最小反向击穿电压 20 V

击穿电压 20 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 R-6

外形尺寸

长度 9.1 mm

宽度 9.1 mm

高度 9.1 mm

直径 9.10 mm

封装 R-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 通用, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BZW50-18引脚图与封装图
BZW50-18引脚图
BZW50-18封装图
BZW50-18封装焊盘图
在线购买BZW50-18
型号: BZW50-18
描述:STMICROELECTRONICS  BZW50-18  TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 单向, 18 V, 32.2 V, 轴向引线, 2 引脚
替代型号BZW50-18
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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