STMICROELECTRONICS BZW50-68B TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚
Transil™ TVS 轴向双向 5000W,STMicroelectronics
得捷:
TVS DIODE 68VWM 157VC R6
欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW50-68B 双向, 5000W, 157V, 2针 R 6封装
立创商城:
BZW50 68B
e络盟:
TVS二极管, BZW50系列, 双向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚
艾睿:
This BZW50-68B TVS diode from STMicroelectronics protects against overvoltages. Its test current is 1 mA. This device&s;s maximum clamping voltage is 157 V and minimum breakdown voltage is 75.6 V. Its maximum leakage current is 5 μA. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS BZW50-68B TVS Diode, Transil BZW50 Series, Bidirectional, 68 V, 121 V, Axial Leaded, 2 Pins
Win Source:
TVS DIODE 68VWM 157VC R6 / 157V Clamp 382A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
额定电压DC 68.0 V
额定功率 5.00 kW
击穿电压 75.6 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 6.5 W
钳位电压 121 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 75.6 V
脉冲峰值功率 5000 W
最小反向击穿电压 75.6 V
击穿电压 75.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 R-6
长度 9.1 mm
直径 9.10 mm
封装 R-6
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 通用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BZW50-68B ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BZW50-68BRL 意法半导体 | 功能相似 | BZW50-68B和BZW50-68BRL的区别 |