STMICROELECTRONICS BZW50-33B TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 双向, 33 V, 76 V, R6, 2 引脚
Transil™ TVS 轴向双向 5000W,STMicroelectronics
### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
立创商城:
双向 Vrwm:33V 5kW
得捷:
TVS DIODE 33VWM 76VC R6
欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW50-33B 双向, 5000W, 76V, 2针 R 6封装
艾睿:
Protect vulnerable electronic circuits against overvoltages by equipping your device with this BZW50-33B TVS diode from STMicroelectronics. Its test current is 1 mA. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. This device&s;s maximum clamping voltage is 76 V and minimum breakdown voltage is 36.6 V. Its maximum leakage current is 5 μA. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 33V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 33V 5KW 2-Pin Case R-6 Ammo
TME:
Diode: transil; 5kW; 36.6V; 85A; bidirectional; R6
Verical:
TVS Diode Single Bi-Dir 33V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS BZW50-33B Transient Voltage Suppressor, TVS, Transil BZW50 Series, Bidirectional, 33 V, R6, 2, 36.6 V
儒卓力:
**TVS-DIODE BI 5KW 39V R6 **
额定电压DC 33.0 V
额定功率 5.00 kW
击穿电压 36.6 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 5 kW
钳位电压 76 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 36.6 V
脉冲峰值功率 5000 W
最小反向击穿电压 36.6 V
击穿电压 36.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 R-6
长度 9.1 mm
宽度 9.1 mm
高度 9.1 mm
直径 9.10 mm
封装 R-6
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Industrial, 通信与网络, 电源管理, 工业, 通用, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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