BZW50-82

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BZW50-82概述

BZW50系列 5000 W 91 V 单向 瞬态电压抑制器 - R-6

Transil™ TVS 轴向单向 5000W,STMicroelectronics

### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics


得捷:
TVS DIODE 82VWM 189VC R6


立创商城:
Vrwm:82V 5kW


欧时:
TVS 二极管 STMicroelectronics BZW50-82 单向, 5000W, 189V, 2针 R 6封装


艾睿:
Protect users and systems from overvoltage conditions by equipping your electronic equipment with STMicroelectronics&s; BZW50-82 TVS diode. Its maximum leakage current is 5 μA. This device&s;s maximum clamping voltage is 189 V and minimum breakdown voltage is 91 V. Its test current is 1 mA. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. This TVS diode has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 82V 5KW 2-Pin Case R-6


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 82V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R


TME:
Diode: transil; 5kW; 91V; 34A; unidirectional; R6


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 82V 5KW 2-Pin Case R-6 Ammo


BZW50-82中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 82.0 V

额定功率 5.00 kW

击穿电压 91 V

电路数 1

耗散功率 5 kW

钳位电压 189 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 5000 W

最小反向击穿电压 91 V

击穿电压 91 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 R-6

外形尺寸

长度 9.1 mm

宽度 9.1 mm

高度 9.1 mm

直径 9.10 mm

封装 R-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

BZW50-82引脚图与封装图
BZW50-82引脚图
BZW50-82封装图
BZW50-82封装焊盘图
在线购买BZW50-82
型号: BZW50-82
描述:BZW50系列 5000 W 91 V 单向 瞬态电压抑制器 - R-6
替代型号BZW50-82
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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