STMICROELECTRONICS BZW50-68 TVS二极管, TVS, Transil BZW50系列, 单向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚
Transil™ TVS 轴向单向 5000W,STMicroelectronics
得捷:
TVS DIODE 68VWM 157VC R6
立创商城:
BZW50-68
欧时:
### Transil™ TVS 轴向单向 5000W,STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
e络盟:
TVS二极管, BZW50系列, 单向, 68 V, 121 V, 轴向引线, 2 引脚
艾睿:
Implement surge protection with this BZW50-68 TVS diode from STMicroelectronics. Its peak pulse power dissipation is 5000 W. Its test current is 1 mA. Its maximum leakage current is 5 μA. This device&s;s maximum clamping voltage is 157 V and minimum breakdown voltage is 75.6 V. This TVS diode has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.
安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
富昌:
BZW50 系列 5000 W 75.6 V 单向 瞬态电压抑制器 - R-6
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 Ammo
Newark:
# STMICROELECTRONICS BZW50-68 TVS Diode, Transil BZW50 Series, Unidirectional, 68 V, 121 V, Axial Leaded, 2 Pins
儒卓力:
**TVS-DIODE UNI 5KW 79V R6 **
额定电压DC 68.0 V
额定功率 5.00 kW
击穿电压 75.6 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 5000 W
钳位电压 121 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 75.6 V
脉冲峰值功率 5000 W
最小反向击穿电压 75.6 V
击穿电压 75.6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 R-6
长度 9.1 mm
宽度 9.1 mm
高度 9.1 mm
直径 9.10 mm
封装 R-6
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 通用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BZW50-68 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BZW50-68RL 意法半导体 | 类似代替 | BZW50-68和BZW50-68RL的区别 |