STMICROELECTRONICS BUV20 单晶体管 双极, 通用, NPN, 125 V, 8 MHz, 250 W, 50 A, 60 hFE
DESCRIPTION
The is silicon Multiepitaxial Planar NPN transistor mounted in jedec TO-3 metal case. It is intended for use in switching and linear applications in military and industrial equipment.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
■ NPN TRANSISTOR
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ FAST SWITCHING SPEED
■ HIGH RUGGEDNESS
APPLICATIONS
■ LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT
■ SWITCHING REGULATORS
额定电压DC 125 V
额定电流 50.0 A
额定功率 250 W
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 125 V
最小电流放大倍数hFE 20 @25A, 2V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 250 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-3
长度 39.5 mm
宽度 26.2 mm
高度 8.7 mm
封装 TO-3
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUV20 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BDW93 安森美 | 功能相似 | BUV20和BDW93的区别 |
BDW93A 安森美 | 功能相似 | BUV20和BDW93A的区别 |
BD158 安森美 | 功能相似 | BUV20和BD158的区别 |