BUK9Y40-55B

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BUK9Y40-55B中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 59 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BUK9Y40-55B
型号: BUK9Y40-55B
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
替代型号BUK9Y40-55B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK9Y40-55B

NXP 恩智浦

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