BUK9Y12-55B

BUK9Y12-55B图片1
BUK9Y12-55B图片2
BUK9Y12-55B图片3
BUK9Y12-55B图片4
BUK9Y12-55B图片5
BUK9Y12-55B图片6
BUK9Y12-55B中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0081 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 106 W

阈值电压 1.65 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 61.8A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 Power-SO8

外形尺寸

封装 Power-SO8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BUK9Y12-55B
型号: BUK9Y12-55B
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台