P 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
The is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.
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- Direct interface to Complementary C-MOS transistor and Transistor-Transistor Logic TTL devices
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- Very fast switching
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- No secondary breakdown
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- -55 to 150°C Junction temperature range
针脚数 3
漏源极电阻 12 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids -200 mA
输入电容Ciss 90pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 560mW Ta, 12.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS192,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS192,135 恩智浦 | 类似代替 | BSS192,115和BSS192,135的区别 |
BSS192PH6327FTSA1 英飞凌 | 功能相似 | BSS192,115和BSS192PH6327FTSA1的区别 |
MMBF170 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSS192,115和MMBF170的区别 |