BSS192P L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -190 mA
针脚数 3
漏源极电阻 7.7 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
输入电容 104 pF
栅电荷 6.10 nC
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 190 mA
上升时间 5.2 ns
输入电容Ciss 104pF @25VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSS192P L6327
型号： BSS192P L6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSS192P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
替代型号BSS192P L6327
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS192P L6327 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS192PH6327FTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BSS192P L6327和BSS192PH6327FTSA1的区别 |
BSS192,115 恩智浦 | 功能相似 | BSS192P L6327和BSS192,115的区别 |