BSP135 H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 98pF @25VVds
下降时间 182 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSP135 H6327
型号： BSP135 H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP135 H6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V