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BSR33,115概述

NXP BSR33,115 单晶体管双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE

The is a PNP Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the telephony and general industrial applications, thick and thin-film circuits.

.: High current

.: Low voltage

.: NPN complements are BSR40, BSR41 and BSR43

.: BR4 Marking code

BSR33,115中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.35 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSR33,115

型号： BSR33,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BSR33,115 单晶体管双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 100 hFE

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替代型号BSR33,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSR33,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
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