NXP BSP220,115 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -200 V, 10 ohm, -10 V, -2.8 V
The is a P-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor in a miniature envelope. It is intended for use in relay, high-speed and line transformer drivers.
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- Low RDS ON
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- Direct interface to C-MOS, TTL
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- High-speed switching
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- No secondary breakdown
针脚数 4
漏源极电阻 10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids -225 mA
输入电容Ciss 90pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP220,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP220 恩智浦 | 功能相似 | BSP220,115和BSP220的区别 |
BSP92 西门子 | 功能相似 | BSP220,115和BSP92的区别 |