BSS83

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BSS83概述

NXP  BSS83  晶体管, MOSFET, 开关, N沟道, 50 mA, 10 V, 45 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET N-channel enhancement switching transistor Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the N-channel enhancement mode type. The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON resistance and low capacitances. The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-back diodes between gate and substrate.


BSS83中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 45 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 10 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BSS83引脚图与封装图
BSS83引脚图
BSS83封装图
BSS83封装焊盘图
在线购买BSS83
型号: BSS83
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSS83  晶体管, MOSFET, 开关, N沟道, 50 mA, 10 V, 45 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSS83
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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