BSP31,115

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BSP31,115概述

NXP  BSP31,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE

The is a PNP Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the telephony and general industrial applications.

.
High current
.
Low voltage
.
NPN complements are BSP41 and BSP43

得捷:
TRANS PNP 60V 1A SOT223


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
BSP31 系列 60 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SOT-223-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BSP31,115  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP 60V 1A SOT223


BSP31,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP31,115
型号: BSP31,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSP31,115  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE
替代型号BSP31,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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