BSP135 L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 1.10 A
针脚数 4
漏源极电阻 25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
输入电容 146 pF
栅电荷 4.90 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 120 mA
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 146pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 182 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSP135 L6327
型号： BSP135 L6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP135 L6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V