BSP295

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BSP295概述

INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
MOSFET,N沟道,60V,1.8A,SOT223


e络盟:
INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V


BSP295中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 295pF @25VVds

下降时间 9.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP295
型号: BSP295
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V
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