BSP250,115

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BSP250,115概述

NXP  BSP250,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V

The is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.

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150°C Junction temperature

得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
BSP Series -30 V 250 mOhm 5W P-Channel Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-223


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BSP250,115  MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V


DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223


BSP250,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -2.80 mA

输入电容Ciss 250pF @20VVds

额定功率Max 1.65 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.65W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 电源管理, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP250,115
型号: BSP250,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSP250,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V
替代型号BSP250,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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