NXP BSH121,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in battery management, high speed switch and logic level translator applications.
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- Very fast switching
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- Logic level compatible
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- Subminiature surface-mount package
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- -65 to 150°C Operating junction temperature range
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 300 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 700mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSH121,135 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH121 安世 | 功能相似 | BSH121,135和BSH121的区别 |