INFINEON BSP296 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 14V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.43Ω @-1.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.79W Description & Applications| • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定
e络盟:
INFINEON BSP296 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
Win Source:
SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level
针脚数 4
漏源极电阻 800 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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