BSC016N06NS

BSC016N06NS图片1
BSC016N06NS图片2
BSC016N06NS图片3
BSC016N06NS图片4
BSC016N06NS图片5
BSC016N06NS图片6
BSC016N06NS图片7
BSC016N06NS图片8
BSC016N06NS图片9
BSC016N06NS图片10
BSC016N06NS概述

INFINEON  BSC016N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™5 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 60V 30A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8


欧时:
### Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


e络盟:
# INFINEON  BSC016N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R


儒卓力:
**MOSFET 60V 100A 1.6mOHM SON-8 **


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP


力源芯城:
60V,100A,1.6mOhm,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8


BSC016N06NS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 5200pF @30VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated DC-DC converters, Or-ing switches, Synchronous rectification

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BSC016N06NS引脚图与封装图
BSC016N06NS引脚图
BSC016N06NS封装焊盘图
在线购买BSC016N06NS
型号: BSC016N06NS
描述:INFINEON  BSC016N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台