NXP BSH105,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.05 A, 20 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 570 mV
The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
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- Logic-level compatible
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- Very fast switching
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- Low threshold voltage
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 417 mW
阈值电压 570 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.05 A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 152pF @16VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, 工业, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSH105,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH105,235 恩智浦 | 类似代替 | BSH105,215和BSH105,235的区别 |
ZXM61N02F 美台 | 功能相似 | BSH105,215和ZXM61N02F的区别 |