Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP
力源芯城:
25V,1.4mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
针脚数 8
漏源极电阻 0.0012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2700pF @12VVds
额定功率Max 74 W
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17