Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
SIPMOS® N 通道 MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 4 ohm, 10 V, 3 V
Newark:
# INFINEON BSP299 MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 500 V, 4 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 4
漏源极电阻 4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 400 mA
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Onboard charger, 车用, Power Management, 通信与网络, Automotive, 消费电子产品, 电源管理, Portable Devices, Consumer Electronics, 便携式器材, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP299 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP299L6327 英飞凌 | 类似代替 | BSP299和BSP299L6327的区别 |
BSP324E6327 英飞凌 | 类似代替 | BSP299和BSP324E6327的区别 |