Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
立创商城:
BSC011N03LSI
欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON T/R
力源芯城:
30V,1.1mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 9.2 ns
正向电压Max 0.7 V
输入电容Ciss 4300pF @15VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 6.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSC011N03LSI Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC011N03LS 英飞凌 | 类似代替 | BSC011N03LSI和BSC011N03LS的区别 |
CSD17559Q5 德州仪器 | 功能相似 | BSC011N03LSI和CSD17559Q5的区别 |