BSC190N15NS3 G

BSC190N15NS3 G图片1
BSC190N15NS3 G图片2
BSC190N15NS3 G图片3
BSC190N15NS3 G图片4
BSC190N15NS3 G图片5
BSC190N15NS3 G图片6
BSC190N15NS3 G图片7
BSC190N15NS3 G图片8
BSC190N15NS3 G图片9
BSC190N15NS3 G图片10
BSC190N15NS3 G图片11
BSC190N15NS3 G图片12
BSC190N15NS3 G图片13
BSC190N15NS3 G图片14
BSC190N15NS3 G图片15
BSC190N15NS3 G概述

INFINEON  BSC190N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8


BSC190N15NS3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 1820pF @75VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC190N15NS3 G
型号: BSC190N15NS3 G
描述:INFINEON  BSC190N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台