BSP299 L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 400 mA
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 3.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 3 V
输入电容 400 pF
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 400 mA
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSP299 L6327
型号： BSP299 L6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP299 L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 V
替代型号BSP299 L6327
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP299 L6327 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP299 英飞凌 | 功能相似 | BSP299 L6327和BSP299的区别 |