NXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V
The is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
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- Logic-level compatible
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- Very fast switching
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- Low threshold voltage
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 417 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids -300 mA
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 70pF @48VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, 工业, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSH201,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NDS0605 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSH201,215和NDS0605的区别 |
NTR0202PLT1G 安森美 | 功能相似 | BSH201,215和NTR0202PLT1G的区别 |