INFINEON BSC010N04LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
OptiMOS™5 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 40V 38A
欧时:
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
e络盟:
The BSC010N04LS is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification. This MOSFET features not only the industry's lowest RDS on but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS on and 31% lower Figure of Merit RDS on x Qg compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
儒卓力:
**N-CH 40V 100A 1mOhm TDSON-8 FL **
力源芯城:
40V,100A,1.0mOhm,N沟道功率MOSFET
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 12 ns
反向恢复时间 36 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 6800pF @20VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
长度 6.1 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99