NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道
N 通道 MOSFET,40V 至 55V,Nexperia
### MOSFET , Semiconductors
得捷:
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
欧时:
NXP N沟道 MOSFET BSH111,215, 330 mA, Vds=55 V, 3引脚 TO-236AB封装
e络盟:
# NXP BSH111,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin TO-236AB T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 335 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSH111,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BSH111,235 恩智浦 | 类似代替 | BSH111,215和BSH111,235的区别 |
MMBF170LT1G 安森美 | 功能相似 | BSH111,215和MMBF170LT1G的区别 |