BSC520N15NS3 G

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BSC520N15NS3 G概述

INFINEON  BSC520N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8


BSC520N15NS3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 57 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 670pF @75VVds

额定功率Max 57 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 57 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 6.1 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC520N15NS3 G
型号: BSC520N15NS3 G
描述:INFINEON  BSC520N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V

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