BS62LV256SCG70

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BS62LV256SCG70概述

BSI BRILLIANCE SEMICONDUCTOR  BS62LV256SCG70  存储芯片, SRAM, 32KX8, 3-5V, CMOS, 70NS, 28SOP

DESCRIPTION

TheBS62L V256 is a high performance,very low power CMOS Static Random  Access  Memory  organized  as  32,768  by  8  bits  and operates form a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.

Advanced  CMOS  technology  and  circuit  techniques  provide  both high  speed  and  low  power  features  with  typical  CMOS  standby current  of  0.01uA  and  maximum  access  time  of  70ns  in  3.0V operation.

FEATURES

Wide VCC operation voltage : 2.4V ~ 5.5V

Very low powerconsumption:

    VCC = 3.0V  Operationcurrent :  25mA Max.  at 70ns

                                               1mA Max.  at 1MHz

                     Standby current :  0.01uATyp. at 25OC

   VCC = 5.0V  Operationcurrent :  40mA Max.  at 55ns

                                              2mA Max.  at 1MHz

                     Standby current :  0.4uA Typ.  at 25OC

Highspeed access time:

  -55  55nsMax. at VCC: 4.5~5.5V

  -70  70nsMax. at VCC: 3.0~5.5V

Automatic power down whenchip is deselected

Easy expansion with CE and OE options

Threestate outputs and TTLcompatible

Fully static operation

Data retentionsupply voltage as low as 1.5V

BS62LV256SCG70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.40V min

针脚数 28

时钟频率 10.0 MHz

存取时间 70 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.4V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOP

外形尺寸

封装 SOP

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BS62LV256SCG70
型号: BS62LV256SCG70
制造商: BSI
描述:BSI BRILLIANCE SEMICONDUCTOR  BS62LV256SCG70  存储芯片, SRAM, 32KX8, 3-5V, CMOS, 70NS, 28SOP
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