BSB028N06NN3 G概述
INFINEON BSB028N06NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
BSB028N06NN3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 78 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 12000pF @30VVds
额定功率Max 78 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 78W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 MG-WDSON-2
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 MG-WDSON-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSB028N06NN3 G
型号： BSB028N06NN3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSB028N06NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V