BSC320N20NS3 G

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BSC320N20NS3 G概述

INFINEON  BSC320N20NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP


儒卓力:
**MOSFET 200V 32mOhm 36A SSO-8 **


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8


BSC320N20NS3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2350pF @100VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: BSC320N20NS3 G
描述:INFINEON  BSC320N20NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 200 V, 0.027 ohm, 10 V, 3 V

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