INFINEON BSC600N25NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
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N沟道 250V 25A
贸泽:
MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
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Trans MOSFET N-CH 250V 25A 8-Pin TDSON EP
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**N-CH 250V 25A 60mOhm TDSON-8 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2350pF @100VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99