BSB044N08NN3 G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSB044N08NN3 G概述

INFINEON BSB044N08NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V

Summary of Features:

.: Optimized technology for DC-DC converters

.: Excellent gate charge x R DSON product FOM

.: Superior thermal resistance

.: Dual sided cooling

.: Low parasitic inductance

.: Low profile <0,7mm

.: N-channel, normal level

.: 100% avalanche tested

.: Pb-free plating; RoHS compliant

Target Applications:

.: Solar

.: Consumer

.: Telecom

.: Server

.: PC power

.: DC-DC

.: AC-DC

.: Adapter

.: SMPS

.: LED

.: Motor control

BSB044N08NN3 G中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 5700pF @40VVds

额定功率Max 78 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 MG-WDSON-2

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 MG-WDSON-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSB044N08NN3 G

型号： BSB044N08NN3 G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON BSB044N08NN3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 80 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.8 V

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