BLF3G21-6,112参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BLF3G21-6,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2 GHz

额定电流 2.3 A

漏源极电压Vds 65 V

输出功率 6 W

增益 15.5 dB

测试电流 90 mA

封装参数

封装 SOT-538

外形尺寸

封装 SOT-538

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF3G21-6,112

型号： BLF3G21-6,112

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.3A 3Pin CDIP SMD Bulk

替代型号BLF3G21-6,112

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NXP 恩智浦

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BLF3G21-6,112和BLF3G21-6的区别