BLF6G27-10,112参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BLF6G27-10,112中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 1.256 Ω

漏源击穿电压 65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-975-2

外形尺寸

长度 6.9 mm

宽度 6.9 mm

高度 3.63 mm

封装 SOT-975-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G27-10,112

型号： BLF6G27-10,112

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3Pin CDFM Bulk

替代型号BLF6G27-10,112

型号/品牌

代替类型

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